最新資訊
- 1 怎樣制作石墨坩堝
- 2 熔金銀高純石墨坩堝的施釉與燒制
- 3 熔金銀高純石墨坩堝如何加工
- 4 熔金銀高純石墨坩堝的原料準備
- 5 石墨坩堝制作的注意事項
- 6 石墨坩堝制備
- 7 石墨坩堝制作配方詳解
- 8 石墨坩堝的配方
- 9 石墨坩堝的制作進程
- 10 石墨坩堝的主要原料
- 11 石墨坩堝的詳細解釋
- 12 石墨坩堝的特點
用未燃燒的石油焦制成的石墨制品
發布作者:jcadmin 發布時間:2024年04月10日
用未焚燒的石油焦制成的石墨制品
用未焚燒的石油焦制成的石墨制品,是二種機械強度很高的細粒結構資料,可用于制造電子技能制品,如排期、薄板、因盤、真空爐和高頻電爐的加熱器、巡熱被、解泰她簽屬的石墨皿、高溫實驗設備的操縱器(夾頭)、熱壓壓模和過濾器等。此種資料可用于懂性氣氛或保護性氣氛中在2500℃以下的溫度中作業;在真空(10-~10mmHgo,中于2000℃以下可以作業好久。MIT-8石墨可制成異型制品。
高純石墨制品是用于制造半導體技能設備的各種元件,它是以普通的結構石墨在石墨化進程中用活性氣體凈化而成的。已凈化的石墨須在防止制品污染的條件下進行機械加工。這種石墨(凈化后)的灰分不超越1×10%,鐵、鋁、鎂的含量不該超越3×105%,銅、硼、錳的含量不該超越1×10%。上面這些限制雜質含量都契合純凈級。在這些石墨里,硅鈣的含量不大于3×10(質量%),。工業上還有純度更高的結構石墨。用這種石墨制成的制品通過機械加工之后再進行彌補凈化,以削減其外表感染的幾率。限制雜質——鐵、鋁、鎂、硼、銅、錳的含量不許超越1×10%,硅的含量不許超越3×10-%,鈦、鎳、鉻及其他元素的含量應少于1x10%。這些石墨的灰分在0~10*%。各種商標特純石墨的物理力學功能。
注:TM石墨的熱處理溫度為2700℃,其他各種商標石墨的熱處理溫度為2800~3000℃。有保護層的特純高強石墨是由普通細結構石墨通過凈化并在真空中脫氣,然后用熱解炭進行外表增密處理而成的。其制品(加熱器、圓盤、石墨皿等)可用于以氣體外延生長法制取硅薄膜。制品內雜質含量:鐵不超越5×10*%,鋁不超越2×10%,鎂和銅不超越5x105%,鈦不超越1×10*%,鎳和鉆不超越1×10-%。
熱解炭形成的增密保護層的厚度不大于2mm。也可在通過增密處理的石墨制品的外表,還可以沉積厚度不超越0.1mm的熱解石墨薄層。石墨制品經熱解炭增密處理之后,其透氣性和氣
用未焚燒的石油焦制成的石墨制品,是二種機械強度很高的細粒結構資料,可用于制造電子技能制品,如排期、薄板、因盤、真空爐和高頻電爐的加熱器、巡熱被、解泰她簽屬的石墨皿、高溫實驗設備的操縱器(夾頭)、熱壓壓模和過濾器等。此種資料可用于懂性氣氛或保護性氣氛中在2500℃以下的溫度中作業;在真空(10-~10mmHgo,中于2000℃以下可以作業好久。MIT-8石墨可制成異型制品。
高純石墨制品是用于制造半導體技能設備的各種元件,它是以普通的結構石墨在石墨化進程中用活性氣體凈化而成的。已凈化的石墨須在防止制品污染的條件下進行機械加工。這種石墨(凈化后)的灰分不超越1×10%,鐵、鋁、鎂的含量不該超越3×105%,銅、硼、錳的含量不該超越1×10%。上面這些限制雜質含量都契合純凈級。在這些石墨里,硅鈣的含量不大于3×10(質量%),。工業上還有純度更高的結構石墨。用這種石墨制成的制品通過機械加工之后再進行彌補凈化,以削減其外表感染的幾率。限制雜質——鐵、鋁、鎂、硼、銅、錳的含量不許超越1×10%,硅的含量不許超越3×10-%,鈦、鎳、鉻及其他元素的含量應少于1x10%。這些石墨的灰分在0~10*%。各種商標特純石墨的物理力學功能。
注:TM石墨的熱處理溫度為2700℃,其他各種商標石墨的熱處理溫度為2800~3000℃。有保護層的特純高強石墨是由普通細結構石墨通過凈化并在真空中脫氣,然后用熱解炭進行外表增密處理而成的。其制品(加熱器、圓盤、石墨皿等)可用于以氣體外延生長法制取硅薄膜。制品內雜質含量:鐵不超越5×10*%,鋁不超越2×10%,鎂和銅不超越5x105%,鈦不超越1×10*%,鎳和鉆不超越1×10-%。
熱解炭形成的增密保護層的厚度不大于2mm。也可在通過增密處理的石墨制品的外表,還可以沉積厚度不超越0.1mm的熱解石墨薄層。石墨制品經熱解炭增密處理之后,其透氣性和氣
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